2025-05-25 00:19:33
新材料或將成為國產MEMS發展的新機會。截止到目前,硅基MEMS發展已經有40多年的發展歷程,如何提高產品性能、降低成本是全球企業都在思考的問題,而基于新材料的MEMS器件則成為擺在眼前的大奶酪,PZT、氮化鋁、氧化釩、鍺等新材料MEMS器件的研究正在進行中,**先一步投入應用,將是國產MEMS彎道超車的好時機。另外,將多種單一功能傳感器組合成多功能合一的傳感器模組,再進行集成一體化,也是MEMS產業新機會。提高自主創新意識,加強創新能力,也不是那么的遙遠。熱敏柔性電極采用 PI 三明治結構,底層基板、中間電極、上層絕緣層設計確保柔韌性與導電性。廣東MEMS微納米加工技術規范
MEMS制作工藝-太赫茲脈沖輻射探測:
光電導取樣光電導取樣是基于光導天線(photoconductiveantenna,PCA)發射機理的逆過程發展起來的一種探測THz脈沖信號的探測技術。如要對THz脈沖信號進行探測,首先,需將一個未加偏置電壓的PCA放置于太赫茲光路之中,以便于一個光學門控脈沖(探測脈沖)對其門控。其中,這個探測脈沖和泵浦脈沖有可調節的時間延遲關系,而這個關系可利用一個延遲線來加以實現,爾后,用一束探測脈沖打到光電導介質上,這時在介質中能夠產生出電子-空穴對(自由載流子),而此時同步到達的太赫茲脈沖則作為加在PCA上的偏置電場,以此來驅動那些載流子運動,從而在PCA中形成光電流。用一個與PCA相連的電流表來探測這個電流即可, 廣東現代化MEMS微納米加工熱壓印技術支持 PMMA/COC 等材料微結構快速成型,較注塑工藝縮短工期并降低成本。
金屬流道PDMS芯片與PET基板的鍵合工藝:金屬流道PDMS芯片通過與帶有金屬結構的PET基板鍵合,實現柔性微流控芯片與剛性電路的集成,兼具流體處理與電信號控制功能。鍵合前,PDMS流道采用氧等離子體活化處理(功率100W,時間30秒),使表面羥基化;PET基板通過電暈處理提升表面能,濺射1μm厚度的銅層并蝕刻形成電極圖案。鍵合過程在真空環境下進行,施加0.5MPa壓力并保持30分鐘,形成化學共價鍵,剝離強度>5N/cm。金屬流道內的電解液與外部電路通過鍵合區的Pad連接,接觸電阻<100mΩ,確保信號穩定傳輸。該技術應用于微流控電化學檢測芯片時,可在10μL的反應體系內實現多參數同步檢測,如pH、離子濃度與氧化還原電位,檢測精度均優于±1%。公司優化了鍵合設備的溫度與壓力控制算法,將鍵合缺陷率(如氣泡、邊緣溢膠)降至0.5%以下,支持大規模量產。此外,PET基板的可裁剪性與低成本特性,使得該芯片適用于一次性檢測試劑盒,單芯片成本較玻璃/硅基方案降低60%,為POCT設備廠商提供了高性價比的集成方案。
MEMS制作工藝-太赫茲超材料器件應用前景:
在通信系統、雷達屏蔽、空間勘測等領域都有著重要的應用前景,近年來受到學術界的關注?;谖⒚准{米技術設計的周期微納超材料能夠在太赫茲波段表現出優異的敏感特性,特別是可與石墨烯二維材料集成設計,獲得更優的頻譜調制特性。因此、將太赫茲超材料和石墨烯二維材料集成,通過理論研究、軟件仿真、流片測試實現了石墨烯太赫茲調制器的制備。能夠在低頻帶濾波和高頻帶超寬帶濾波的太赫茲濾波器,通過測試驗證了理論和仿真的正確性,將超材料與石墨烯集成制備的太赫茲調制器可對太赫茲波進行調制。 電子束光刻是 MEMS 微納米加工中一種高分辨率的加工方法,能制造出極其微小的結構。
MEMS制作工藝-聲表面波器件的特點:
1.由于聲表面波器件是在單晶材料上用半導體平面工藝制作的,所以它具有很好的一致性和重復性,易于大量生產,而且當使用某些單晶材料或復合材料時,聲表面波器件具有極高的溫度穩定性。
2.聲表面波器件的抗輻射能力強,動態范圍很大,可達100dB。這是因為它利用的是晶體表面的彈性波而不涉及電子的遷移過程此外,在很多情況下,聲表面波器件的性能還遠遠超過了很好的電磁波器件所能達到的水平。比如用聲表面波可以作成時間-帶寬乘積大于五千的脈沖壓縮濾波器,在UHF頻段內可以作成Q值超過五萬的諧振腔,以及可以作成帶外抑制達70dB、頻率達1低Hz的帶通濾波器 自動化檢測系統基于機器視覺,實現微流控芯片尺寸測量、缺陷識別與統計分析一體化。河北MEMS微納米加工圖片
MEMS四種ICP-RIE刻蝕工藝的不同需求。廣東MEMS微納米加工技術規范
SU8微流控模具加工技術與精度控制:SU8作為負性光刻膠,廣泛應用于6英寸以下硅片、石英片的單套或套刻微流控模具加工,可實現5-500μm高度的三維結構制造。加工流程包括:基板清洗→底涂處理→SU8涂膠(轉速500-5000rpm,控制厚度1-500μm)→前烘→曝光(紫外光強度50-200mJ/cm?)→后烘→顯影(PGMEA溶液,時間1-10分鐘)。通過優化曝光劑量與顯影時間,可實現側壁垂直度>88°,**小線寬10μm,高度誤差<±2%。在多層套刻加工中,采用對準標記視覺識別系統(精度±1μm),確保上下層結構偏差<5μm,適用于復雜三維流道模具制備。該模具可用于PDMS模塑成型,復制精度達95%以上,流道表面粗糙度Ra<100nm。典型應用如細胞培養芯片模具,其微柱陣列(直徑50μm,高度200μm,間距100μm)可模擬細胞外基質環境,促進干細胞定向分化,細胞黏附率提升40%。公司具備從模具設計、加工到復制成型的全鏈條能力,支持SU8與硅、玻璃等多種基板的復合加工,為微流控芯片開發者提供了高精度、高性價比的模具解決方案。廣東MEMS微納米加工技術規范